Date: 2008-01-07 07:11 pm (UTC)
Тут что-то не так, ибо для планарных транзисторов используется в точности та же технология, что и для для ИС. В ней, собственно, фокусов два:

1. Чтобы пленка оксида кремния сверху не мешала (не помню, почему)
2. Чтобы напыленные электроды с одной стороны напылялись, а с другой стороны - не портили допинг кремния

Для ИС потом требуются только бОльшие маски, и идея изоляции элементов с помошью p-n переходов.
This account has disabled anonymous posting.
If you don't have an account you can create one now.
HTML doesn't work in the subject.
More info about formatting

July 2025

S M T W T F S
  1 2345
678 9101112
13141516171819
20212223242526
2728293031  

Most Popular Tags

Style Credit

Expand Cut Tags

No cut tags
Page generated Jul. 13th, 2025 12:23 am
Powered by Dreamwidth Studios