sab123: (Default)
SB ([personal profile] sab123) wrote2008-01-04 05:42 pm

читаем IEEEшный журнал

Про Гугель; в письмах народ пишет: вы замечательно рассказали, как Брин и Пейдж ездят на электрогибридном автомобиле. На котором они ездят в аэропорт и оттуда летают на личном Бинге-767, который, как мы знаем, является очень экономичным личным транспортным средством.

Исследователи из МВФ обнаружили, что высокие технологии способствуют экономическому расслоению населения, а вовсе не глобализация или международная торговля.

Ученые искали доказательства, что глобальное потепление может привести к глобальном упохолоданию. Вместо того нашли следы того, что последнее (и все еще нынешнее) похолодание является следствием падения астероидов.

В онлайновых играх с виртуальной реальностью распространился бизнес. В Америке люди производят автоматических псевдо-игроков, которые непрерывно шатаются по игре, собирают игровое золото, которое потом продают другим игрокам на ебее за настоящие деньги. Китайцы вместо автоматизации делают это вручную. То есть, люди натурально ходят на работу, где 12 часов в день играют в эти игры.

Рассказывают про Жана Хоерни, который в Фэйрчайлде изобрел планарные транзисторы. От которых потом был прямой лоический шаг к микросхемам. А у наших, небось, микросхемы не получались потому, что они планарный процесс освоить не могли.

[identity profile] real-big-shish.livejournal.com 2008-01-05 07:24 pm (UTC)(link)
Вот планары как раз и удавались. Поэтому когда весь мир от штатов до тайваня уже во всю делал БИСы, отечественная пром-сть всё ещё крупносерийно точила гибридки.

[identity profile] sab123.livejournal.com 2008-01-07 07:11 pm (UTC)(link)
Тут что-то не так, ибо для планарных транзисторов используется в точности та же технология, что и для для ИС. В ней, собственно, фокусов два:

1. Чтобы пленка оксида кремния сверху не мешала (не помню, почему)
2. Чтобы напыленные электроды с одной стороны напылялись, а с другой стороны - не портили допинг кремния

Для ИС потом требуются только бОльшие маски, и идея изоляции элементов с помошью p-n переходов.